Характеристики Samsung MZ-V7S500BW в Твери
Технические характеристики Samsung MZ-V7S500BW
Основные характеристики
Емкость:
500 ГБ
Назначение:
для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип флэш-памяти:
TLC 3D NAND
Контроллер:
Samsung Phoenix
Подключение
Интерфейс PCI-E:
есть
Тип PCI-E:
PCI-E 3.0 x4
Разъем M.2:
есть
Параметры накопителя
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
3200 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ):
550000 IOPS
Поддержка секторов размером 4 КБ:
есть
Поддержка TRIM:
есть
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Ударостойкость при работе:
1500 G
Ударостойкость при хранении:
1500 G
Суммарное число записываемых байтов (TBW):
300 ТБ
Шифрование данных:
есть
Объем буфера:
512 МБ
Поддержка NVMe:
есть
Дополнительно
Макс. рабочая температура:
70° C
Ширина:
22.15 мм
Высота:
2.38 мм
Длина:
80.15 мм
Вес:
8 г
ПОХОЖИЕ ТОВАРЫ
